Estudo de materiais: propriedades eletrônicas e estruturais

• Processo: 98/16536-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1999
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Silício Nitreto de silício Átomos Estrutura eletrônica Semicondutores Sistemas desordenados Método de Monte Carlo
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Propriedades Estruturais | Semicondutores

Resumo

Através de desenvolvimento de simulação semi-empírico, estudaremos sistemas desordenados Si/a-Si3N4, difusão de átomos em superfícies e estrutura tubular de Si. (AU)