Alexander Toropov | Inst. Física Semicondutores - Rússia

• Processo: 04/10963-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2005
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2005
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iouri Poussep
• Beneficiário: Iouri Poussep
• Pesquisador visitante: Alexander Toropov
• Instituição do Pesquisador Visitante: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Semicondutores Epitaxia por feixe molecular Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxia Molecular | Nanoestruturas | Semicondutores

Resumo

Planejamos otimizar processo de crescimento e crescer as super-redes para estudo de efeito Hall quântico em super-redes semicondutoras GaAs/AlGaAs. Nestas amostras o efeito da forma de superfície de Fermi (fechada ou aberta), que em super-redes semicondutoras é determinada pela densidade de elétrons, será estudado. Planejamos explorar como a desordem artificial produzida durante o crescimento de super-redes pela variação aleatória de espessuras de barreiras de AlGaAs influencia a formação de estado de Hall quântico. Também, os efeitos da correlacionada desordem tipo "dimer" serão investigados. Planejamos ainda instalar um manipulador para clivar substratos em vácuo alto e assim, realizar o crescimento na clivada superfície lateral. Este procedimento pode permitir formar gás bi-dimensional na superfície lateral, modulado pela estrutura da super-rede. (AU)