Iouri Danilov | Univ. Federal Rio Grande Sul/UFRGS - Brasil

• Processo: 97/14346-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1999
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Pesquisador visitante: Iouri Danilov
• Instituição do Pesquisador Visitante: Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS), Brasil
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 92/03453-8 - Tecnologia HBIFET: processo e caracterização, AP.TEM
• Assunto(s): Implantação iônica Arsenieto de gálio Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Backgating | Hbt | Implantacao De Ions | Isolacao | Mesfet | Tecnologia De Gaas

Resumo

Serão estudados e otimizados processos de fabricação de circuitos integrados em tecnologia MESFET e HBT em GaAs, dando ênfase especial às etapas de uso irradiação de íons para a obtenção de camadas ativas, fonte/dreno e isolação (baixo efeito de backgating) para MESFET e isolação para redução de capacitância base-coletor e isolação entre dispositivos para HBT. Este plano de trabalho contribuirá com o projeto temático FAPESP nº 92/3453-8. (AU)