David Comedi | McMaster University - Canadá

• Processo: 92/05192-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 20 de julho de 1993
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1994
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ivan Emilio Chambouleyron
• Beneficiário: Ivan Emilio Chambouleyron
• Pesquisador visitante: David Comedi
• Instituição do Pesquisador Visitante: McMaster University, Canadá
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Germânio Silício Semicondutores amorfos Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Feixe De Ions | Filmes Finos | Germanio | Interfaces | Semicondutores Amorfos | Silicio

Resumo

Durante a visita de um ano o Dr. Comedi participará ativamente no processo de instalação do equipamento de "íon assited beam deposition", em fase de importação pela FAPESP (processo nº 91/3635-6). Especificamente o Dr. Comedi contribuirá no estudo e fabricação de ligas amorfas de a-Si;H, a-Ge:H, e a-Si:Ge;H pelo método supra. A caracterização das amostras inclui o estudo por espectroscopia de fotoelétrons ultravioleta (UPS). As pesquisas incluem também a fabricação e caracterização de interfaces entre as diversas ligas semicondutoras amorfas apontadas. (AU)