Jürgen Furthmüller | Inst. Física Teórica Universidade Friedrich-Schiller Jena - Alemanha

• Processo: 07/04279-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 23 de setembro de 2007
• Data de Término da vigência: 20 de outubro de 2007
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcelo Marques
• Beneficiário: Marcelo Marques
• Pesquisador visitante: Jürgen Furthmüller
• Instituição do Pesquisador Visitante: Friedrich Schiller University Jena, Alemanha
• Instituição Sede: Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Spintrônica Métodos ab initio Intercâmbio de pesquisadores Colaboração científica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculo Ab Initio | Ligas Semicondutoras | Semicondutores | Spintronica | Física de Semicondutores e Computacional

Resumo

O plano de trabalho será executado em duas etapas. Na primeira, durante o período de 23 de setembro a 6 de outubro de 2006 o Prof. Dr. Jürgen Furthmüller estará no grupo teórico GMSN do ITA desenvolvendo as seguintes atividades: 1. Mini-curso sobre o programa VASP; 2. Otimização do código VASP nas máquinas do grupo GMSN do ITA; 3. Discussão dos resultados já obtidos relacionados aos seguintes sistemas com aplicações em spintrônica: (i) Ligas de semicondutores magnéticos e sistemas relacionados: AlMnN, MnGaN e MnGaAs, (ii) Heteroestrutura digital semicondutora magnética - InN/(InMnN), e (iii) influência da tensão biaxial em ambos sistemas acima descritos; 4. Discussão dos cálculos em andamento relacionados aos seguintes sistemas com aplicações em spintrônica: (i) Dupla dopagem de íons magnéticos nos semicondutores GaN e ZnO, (ii)liga AlCrN; 5. Discussão dos cálculos em andamento relacionados às ligas semicondutoras com aplicações em optoeletrônica: (i) Ligas quaternárias InGaAsN, AlGaAsN e GaNAsBi e suas ternárias e (ii) ligas de nitretos do grupo III na estrutura wurtzita, AlGaN -determinação da variação do crystal field splitting com a composição da liga. Já na segunda etapa, durante o período de 7 ao dia 21 de outubro de 2006 o Prof. Dr. Jürgen Furthmüller estará no grupo teórico do LNMS do IFUSP do dia com as seguintes atividades programadas: 1. Extensão dos estudos feitos, até agora, aos óxidos semicondutores, especificamente o TiO2 e o SnO2 dopados com metais de transição; 2. Iniciar o estudo de compostos semicondutores do tipo IV-VI, especificamente, o PbTe ea liga PbEuTe, sistemas que envolvem elementos com camada f gap; do semicondutor, que é subestimado em virtude da aproximação LDA. (AU)