Olshanetsky Evgenii | Institute of Semiconductor Physics - Rússia

• Processo: 08/09212-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 15 de março de 2009
• Data de Término da vigência: 14 de junho de 2009
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Pesquisador visitante: Olshanetsky Evgenii
• Instituição do Pesquisador Visitante: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Poços quânticos Semicondutores (físico-química) Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletron Buraco | Pocos Quanticos | Sistema Bidimensional | Novos materiais semicondutores

Resumo

A visita do Dr. E.B. Olshanetsky será muito útil para continuarmos uma colaboração a longo prazo entre Novosibirsk e os diferentes grupos dedicados ao estudo dos sistemas nanoestruturados no Brasil. Entre estes grupos estão o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP), também grupos teóricos e experimentais da Universidade Federal de São Carlos, do Instituto de Física de São Carlos-USP e outros. Como líder do LNMS do IFUSP, tenho desenvolvido vários projetos importantes, entre os quais o internacional USP-COFECUB. O objetivo geral do projeto é estudar interação entre buracos e elétrons em nanoestruturas semicondutoras baseados em poços quânticos de HgTe. Estamos propondo pesquisar esses efeitos em poços quânticos de HgTe crescidos no Instituto de Física de Semicondutores, Novosibirsk. A pesquisa aponta na direção de uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados na mecânica quântica. Os benefícios deste projeto para ambos os grupos, de São Paulo e de Novosibirsk, são: O incremento do conhecimento da física baixo consideração, o desenvolvimento de técnicas de crescimento necessárias para obter poços quânticos de HgTe de alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (e suas consequências) em futuros dispositivos. (AU)