Universalidade das propriedades termoelétricas de transporte através de nanoestruturas semicondutoras

• Processo: 11/20865-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2013
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2014
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luiz Nunes de Oliveira
• Beneficiário: Luiz Nunes de Oliveira
• Pesquisador visitante: Roberto Emilio Franco Peñaloza
• Instituição do Pesquisador Visitante: Universidad Nacional de Colombia (UN), Colômbia
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 07/57630-5 - Métodos não perturbativos aplicados a sistemas eletrônicos correlacionados, AP.TEM
• Assunto(s): Efeito Kondo Propriedades eletrônicas Grupo de renormalização Intercâmbio de pesquisadores Colaboração científica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Kondo | Grupo de renormalização | modelo de Anderson | propriedades de transporte | universalidade | Transporte em semicondutores

Resumo

Estamos interessados em obter relações universais que descrevam as propriedades termoelétricas das nanoestruturas semicondutoras, isto é, que descrevam o comportamento com a temperatura da condutância térmica e do poder termoelétrico. Mais especificamente, queremos avançar teoricamente rumo ao acordo quantitativo com os resultados experimentais. Para que isso seja possível, será necessário explorar a universalidade das propriedades físicas dos dispositivos semicondutores nanoestruturados a baixas temperaturas. É relativamente fácil argumentar-se que as propriedades devem ser universais no regime Kondo. Na prática, porém, as relações universais não são óbvias. Em particular, no caso da condutância elétrica, quinze anos se passaram entre a primeira identificação de uma curva que se mostrou universal em um regime restrito e a demonstração de que a dependência térmica da condutância pode ser mapeada naquela curva. O propósito deste plano é estender este último resultado para as demais propriedades termoelétricas de transporte. Para isso, empregaremos ferramentas analíticas da teoria do grupo de renormalização e comparararemos os resultados com cálculos de grupo de renormalização numérico. (AU)