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Improved model to determine the generation lifetime in short channel soi nmosfets.

Processo:07/00799-8
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 06 de maio de 2007
Data de Término da vigência: 11 de maio de 2007
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Município da Instituição Sede:São Paulo
Assunto(s):Microeletrônica  Simulação numérica  Técnicas de caracterização elétrica   Transistores FinFET  Tempo de vida 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterizacao Eletrica | Finfet | Simulacao Numerica | Soi Mosfet | Tempo De Vida | Transistor Soi | Microeletrônica
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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