The graded-channel soi mosfet to alleviate the parasitic bipolar effect and improve the output characteristics.

• Processo: 99/00623-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 02 de maio de 1999
• Data de Término da vigência: 07 de maio de 1999
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Temperatura
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Leakage Current | Oxide Charges | Parasitic Effects | Soi Mosfet | Temperature