Extraction of the silicon film thickness on fully defleted soi nmosfets using the back gate voltage influence.

• Processo: 00/06557-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 18 de setembro de 2000
• Data de Término da vigência: 24 de setembro de 2000
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Interface
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Electrical Characterization | Interface | Mos Capacitors | Soi Tecnhology