1) behavior of the graded-channel fully-depleted soi nmosfet in subthreshold regime.2) a simple leakage drain current model for accumulation-mode soi pmosfets operating up to 300oc.

• Processo: 01/05833-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 10 de setembro de 2001
• Data de Término da vigência: 15 de setembro de 2001
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Interface
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Electrical Characterization | Interface | Parasitic Effects | Soi Technology