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Behavior of graded channel soi gate-all-around nmosfet devices at high temperatures.

Processo: 04/06483-4
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 07 de setembro de 2004
Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2004
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Interface 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Electrical Characterization | Interface | Parasitic Effects | Soi Technology
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