Saturation threshold voltage degradation in deep-submicrometer fully depleted soi nmosfets operating in cryogenic environments.

• Processo: 05/55395-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 03 de outubro de 2005
• Data de Término da vigência: 06 de outubro de 2005
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Low Temperature | Mosfet | Soi