Study of silicon nitride deposition by ECR - CVD at low gás pressure

• Processo: 97/02160-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 27 de maio de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de maio de 1997
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 92/03453-8 - Tecnologia HBIFET: processo e caracterização, AP.TEM
• Assunto(s): Nitreto de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cvd | Ecr | Espectroscopia De Emissao | Nitreto De Silicio | Plasma