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1) Plasmon-phonon coupling in &-doped semiconductors. 2) Enhancement of ressonant tunneling current of holes due to internal strains

Processo: 97/02715-2
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 08 de julho de 1997
Data de Término da vigência: 26 de julho de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gilmar Eugenio Marques
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:95/00789-3 - Propriedades ópticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras: teoria e experiência, AP.TEM
Assunto(s):Tunelamento quântico 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Holes | Internal Strain | Phonons | Raman Spectra | Resonant Tunneling | Transport
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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