1) Plasmon-phonon coupling in &-doped semiconductors. 2) Enhancement of ressonant tunneling current of holes due to internal strains

• Processo: 97/02715-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 08 de julho de 1997
• Data de Término da vigência: 26 de julho de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gilmar Eugenio Marques
• Beneficiário: Gilmar Eugenio Marques
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 95/00789-3 - Propriedades ópticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras: teoria e experiência, AP.TEM
• Assunto(s): Tunelamento quântico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Holes | Internal Strain | Phonons | Raman Spectra | Resonant Tunneling | Transport