A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide.

• Processo: 03/04347-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 28 de julho de 2003
• Data de Término da vigência: 01 de agosto de 2003
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Beneficiário: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Propriedades eletrônicas GAN
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diamond | Electronic Properties | Gan | Silicon | Transition Metals