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Early voltage behavior in circular gate soi nmosfet using 0.13 um partially-depleted soi cmos technology.

Processo: 06/02970-3
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 28 de agosto de 2006
Data de Término da vigência: 01 de setembro de 2006
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:Salvador Pinillos Gimenez
Beneficiário:Salvador Pinillos Gimenez
Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Modelagem tridimensional 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Medidas Experimentais | Simulacao Tridimensional | Soi Mosfet Submicrometrico | Tensao Early | Transitor De Porta Circular | Dispositivos Semicondutores
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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