1)rapid photoluminescence intensity degradation in porous silicon. 2)investigation of porous silicon film structures by optical methods.

• Processo: 92/03737-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 30 de novembro de 1992
• Data de Término da vigência: 04 de dezembro de 1992
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Pierre Basmaji
• Beneficiário: Pierre Basmaji
• Instituição Sede: Instituto de Física e Química de São Carlos (IFQSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Fios quânticos Silício poroso
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fios Quanticos | Propiedade Optica | Silicio Poroso