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Eletrodeposicao de pbte sobre silicio poroso para sensores de infravermelho.

Processo: 02/09137-4
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 09 de novembro de 2002
Data de Término da vigência: 13 de novembro de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Neidenei Gomes Ferreira
Beneficiário:Neidenei Gomes Ferreira
Instituição Sede: Instituto de Aeronáutica e Espaço (IAE). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Silício poroso  Eletroquímica  Filmes finos  Detetores  Infravermelho 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Detetores | Eletroquimica | Filmes Finos | Infravermelho | Semicondutores | Silicio Poroso
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