The leakage current composition in thin film soi nmosfets at high temperatures.

• Processo: 02/04869-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 09 de setembro de 2002
• Data de Término da vigência: 14 de setembro de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcello Bellodi
• Beneficiário: Marcello Bellodi
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Assunto(s): Alta temperatura
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: High Temperature | Leakage Drain Current | Soi Mosfets