| Processo: | 99/06576-2 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil |
| Data de Início da vigência: | 09 de agosto de 1999 |
| Data de Término da vigência: | 12 de agosto de 1999 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos |
| Pesquisador responsável: | Roberto Ricardo Panepucci |
| Beneficiário: | Roberto Ricardo Panepucci |
| Instituição Sede: | Pessoa Física |
| Assunto(s): | Arsenieto de gálio Transistores de efeito de campo Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Crescimento Epitaxial Cbe | Dispositivos Semicondutores | Gaas | Nanofabricacao | Transistor De Efeito De Campo |
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