Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. 2) comparative studies of photoluminescence form n-and p-&-doping wells in gaas.

• Processo: 95/00596-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 08 de maio de 1995
• Data de Término da vigência: 19 de maio de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Erich Werner Rolf Enderlein
• Beneficiário: Erich Werner Rolf Enderlein
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Device Characterization | Heterostructures | Hole Confinement | Photoreflectance | Spatial Inhomogeneity