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Determination of the silicon film thickness and back oxide charge density on graded-channel soi nmosfets.

Processo: 03/08200-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 08 de setembro de 2003
Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2003
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Aparecido Sirley Nicolett
Beneficiário:Aparecido Sirley Nicolett
Instituição Sede: Faculdade de Tecnologia São Paulo (FATEC São Paulo). Centro Paula Souza (CEETEPS). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Simulação 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Electrical Characterization | Gc Soi Tecnhology | Simulation
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