| Processo: | 14/02112-3 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de outubro de 2015 |
| Data de Término da vigência: | 30 de setembro de 2017 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Victor Lopez Richard |
| Beneficiário: | Victor Lopez Richard |
| Instituição Sede: | Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | São Carlos |
| Assunto(s): | Nanotecnologia |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | diodos de tunelamento ressonante | nano-dispositivos | pontos qunticos | Propriedades Magneto-ópticas | Nanotecnologia |
Resumo
Esta proposta prevê a investigação e desenvolvimento de dispositivos semicondutores eletro-ópticos nanoscópicos e o estudo sistemático das suas propriedades ópticas e de transporte. Os objetivos colocados fazem parte do escopo de um trabalho colaborativo entre o crescimento experimental, espectroscopia electro-óptica e cálculos teóricos. Projetos precedentes permitiram fazer evoluir nossas pesquisas em tópicos de física fundamental da matéria condensada em direção a aplicações onde aparecem em comunhão à especialização na fabricação e à modelagem de estruturas e dispositivos de baixa dimensão, combinando as expertises teóricas e experimentais dos parceiros do projeto. Os esforços teóricos e experimentais incluem o estudo de fenômenos de transporte eletro-ópticos de dispositivos de tunelamento ressonante (RTD) como fotodetectores, sensores precisos e diodos emissores de luz, bem como guias de onda de baixa dimensionalidade de elétrons balísticos integrados com pontos quânticos (QD) como dispositivos para transmissão e armazenamento de informação. Em temas de física fundamental de semicondutores nos propomos aprofundar ainda mais a pesquisa e simulação de QDs, anéis quânticos e lâminas semicondutoras afetadas por impurezas e defeitos estruturais. Este caminho já permitiu abrir novos horizontes de pesquisa, combinando os modelos de massa afetiva e cálculos ab-initio. Muitos dos problemas abordados são baseados em questões experimentais desafiadoras onde resultados preliminares mostram interessantes efeitos de confinamento e topologia dos campos de tensão inerentes ao crescimento destas estruturas. As vislumbradas aplicações tecnológicas permitem apostar no potencial deste projeto para a geração de Patentes. (AU)
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