Conduction mechanisms in gas detectors based on nanostructured metalic oxide semiconductors

• Processo: 16/50491-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Vigência: 01 de outubro de 2017 - 30 de setembro de 2019
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Convênio/Acordo: CONICET
• Proposta de Mobilidade: SPRINT - Projetos de pesquisa - Mobilidade
• Pesquisador responsável: Elson Longo da Silva
• Beneficiário: Elson Longo da Silva
• Pesq. responsável no exterior: Celso Manuel Aldao
• Instituição no exterior: Universidad Nacional de La Plata (UNPL), Argentina
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia (FEG). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Guaratinguetá. Guaratinguetá , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID
• Assunto(s): Óxidos semicondutores Óxidos metálicos Dióxido de titânio Materiais nanoestruturados Propriedades elétricas Sensores de gases
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Engenharia

Resumo

A proposta desse projeto consiste na investigação dos mecanismos de condução em óxidos semicondutores nano estruturados baseados em dióxidos de titânio ou de cério puros ou dopados com lantânio (La) ou európio (Eu). A determinação da relação entre microestrutura dos filmes sensores e sua dependência com a composição e rota de processamento, junto com as propriedades elétricas para o sensoriamento de gás serão avaliadas. Nesse contexto, esforços serão empregados na síntese das nanoestruturas através da rota hidrotermal assistida por micro-ondas (HAM), no processo de deposição pela técnica de screen-printing, bem como o comportamento sensor desses dispositivos frente distintas atmosferas. Para as caracterizações, espectroscopia de aniquilação de pósitrons (EAP), espectroscopia de impedância complexa (EIC), espectroscopia Raman, espectroscopia de raios-x foto gerados (XPS), espectroscopia de infravermelho com transformada de Fourier (FT-IR), espectroscopia UV-Vis, difração de raios-X (DRX), além das microscopias eletrônicas de varredura e transmissão (MEV, MET) serão empregadas. Além disso, os mecanismos de condução elétrica serão modelados para um semicondutor poli cristalino a fim de elucidar as consequências nas alterações de propriedades das barreiras devido em função da adição de dopantes. (AU)