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Conduction mechanisms in gas detectors based on nanostructured metalic oxide semiconductors

Processo: 16/50491-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de outubro de 2017 - 30 de setembro de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Convênio/Acordo: CONICET
Proposta de Mobilidade: SPRINT - Projetos de pesquisa - Mobilidade
Pesquisador responsável:Elson Longo da Silva
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Pesq. responsável no exterior: Celso Manuel Aldao
Instituição no exterior: Universidad Nacional de La Plata (UNPL), Argentina
Instituição Sede: Faculdade de Engenharia (FEG). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Guaratinguetá. Guaratinguetá , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID
Assunto(s):Óxidos semicondutores  Óxidos metálicos  Dióxido de titânio  Materiais nanoestruturados  Propriedades elétricas  Sensores de gases 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Engenharia

Resumo

A proposta desse projeto consiste na investigação dos mecanismos de condução em óxidos semicondutores nano estruturados baseados em dióxidos de titânio ou de cério puros ou dopados com lantânio (La) ou európio (Eu). A determinação da relação entre microestrutura dos filmes sensores e sua dependência com a composição e rota de processamento, junto com as propriedades elétricas para o sensoriamento de gás serão avaliadas. Nesse contexto, esforços serão empregados na síntese das nanoestruturas através da rota hidrotermal assistida por micro-ondas (HAM), no processo de deposição pela técnica de screen-printing, bem como o comportamento sensor desses dispositivos frente distintas atmosferas. Para as caracterizações, espectroscopia de aniquilação de pósitrons (EAP), espectroscopia de impedância complexa (EIC), espectroscopia Raman, espectroscopia de raios-x foto gerados (XPS), espectroscopia de infravermelho com transformada de Fourier (FT-IR), espectroscopia UV-Vis, difração de raios-X (DRX), além das microscopias eletrônicas de varredura e transmissão (MEV, MET) serão empregadas. Além disso, os mecanismos de condução elétrica serão modelados para um semicondutor poli cristalino a fim de elucidar as consequências nas alterações de propriedades das barreiras devido em função da adição de dopantes. (AU)

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