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Filmes finos de LaNiO3 e PZT depositados pelo método das soluções precursoras poliméricas em substratos de silício

Processo: 02/11847-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
Data de Início da vigência: 01 de abril de 2003
Data de Término da vigência: 31 de março de 2006
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:José Arana Varela
Beneficiário:Eder Carlos Ferreira de Souza
Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/01991-0 - Síntese e caracterização de filmes finos e cerâmicas ferroelétricos, AP.TEM
Assunto(s):Materiais ferroelétricos   Filmes finos   Método Pechini   Propriedades elétricas   Condutividade elétrica
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Ferroeletricos | Filmes Finos | Lanio3 | Nb | Pzt

Resumo

Neste projeto, que tem o mesmo tema do nosso trabalho de mestrado, pretende-se preparar filmes finos de niquelato de lantânio (LaNi03), LNO, pelo método da solução orgânica de citratos (método Pechini), sobre substratos de Si. Pretende-se também estudar as propriedades elétricas de filmes finos de PZT 40/60 puro e dopados com Nióbio, depositados em substrato de Si/Pt e sobre os filmes finos de LNO depositados sobre Si. Os filmes finos de LNO e PZT preparados serão caracterizados fisicamente (morfologia dos grãos, fases cristalinas, interação entre as camadas) usando-se técnicas como DRX, MEV, AFM e MET e quanto às propriedades elétricas (CxV, histerese e fadiga ferroelétrica). Os filmes finos de LNO serão também caracterizados quanto a condutividade elétrica por meio da técnica de 4 pontas de prova. Espera-se assim, obter ao final do projeto, filmes finos epitaxiais com baixa fadiga ferroelétrica e propriedades adequadas para possível uso em memórias FeRAM. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SOUZA, Eder Carlos Ferreira de. Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício. 2006. Tese de Doutorado - Universidade Estadual Paulista (Unesp). Instituto de Química. Araraquara Araraquara.