Propriedades eletrônicas de pequenos conjuntos de nanoestruturas isoladas

• Processo: 05/04643-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2006
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2010
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gilberto Medeiros Ribeiro
• Beneficiário: Pablo Roberto Fernández Siles
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Afm | Litografia | Nanoestruturas semicondutoras

Resumo

A construção de dispositivos quânticos calcada em sistemas de baixa dimensionalidade requer técnicas de fabricação sofisticadas, em geral envolvendo litografia por feixe de elétrons. Estruturas formadas por self-assembly, como pontos e fios quânticos, representam alternativas interessantes a estas técnicas. No entanto, para situações onde se procura trabalhar com um único eletron, fóton ou spin, é importante que se consiga isolar uma única nanoestrutura. O objetivo deste projeto de doutoramento é de incorporar técnicas de litografia por microscopia de força atômica na identificação e isolamento de pequenos números de nanoestruturas. Em se trabalhando com nanoestruturas isoladas, diversos experimentos podem ser realizados, como fotocorrente, espectroscopia de capacitância e corrente. Em pequenos conjuntos de nanoestruturas, pode-se obter a dispersão das características do conjunto, como tensor-g, bloqueio Coulombiano, potenciais de confinamento, enfim, obter de maneira mais detalhada as propriedades do ensemble mas no limite de pequenas quantidade, o que até o momento não foi realizado. Espera-se com isto obter correlações entre os diversos parâmetros de nanoestruturas, como também a assinatura de partículas isoladas.

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

CHENG, GUANGLEI; SILES, PABLO F.; BI, FENG; CEN, CHENG; BOGORIN, DANIELA F.; BARK, CHUNG WUNG; FOLKMAN, CHAD M.; PARK, JAE-WAN; EOM, CHANG-BEOM; MEDEIROS-RIBEIRO, GILBERTO; et al. Sketched oxide single-electron transistor. NATURE NANOTECHNOLOGY, v. 6, n. 6, p. 343-347, JUN 2011. (05/04643-7)

SILES, PABLO F.; ARCHANJO, B. S.; BAPTISTA, D. L.; PIMENTEL, V. L.; YANG, J. JOSHUA; NEVES, B. R. A.; MEDEIROS-RIBEIRO, G.. Nanoscale lateral switchable rectifiers fabricated by local anodic oxidation. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 2, JUL 15 2011. (05/04643-7)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SILES, Pablo Roberto Fernández. Propriedades eletrônicas e processos de transporte em materiais semicondutores nano-estruturados. 2010. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.