Aegis Semicondutores Ltda

• Processo: 06/57082-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pesquisa Inovativa em Pequenas Empresas - PIPE
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2008
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: André Luiz Molisani
• Beneficiário: André Luiz Molisani
• Empresa: Isoermética Isoladores Herméticos Ltda
• Vinculado ao auxílio: 06/51856-9 - Desenvolvimento de módulos semicondutores de alta potência com substrato de nitreto de alumínio, AP.PIPE
• Assunto(s): Nitreto de alumínio Processamento de materiais cerâmicos Sinterização Cobre Substratos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Direct Bonding Copper | Nitreto De Aluminio | Processamento Ceramico | Sintese De Pos | Substrato

Resumo

O candidato participará de todas as etapas do processo. Inicialmente, realizando levantamento bibliográfico tanto para a elaboração desse projeto como para obtenção de informações sobre metologias de síntese de pós de nitreto de alumínio (AIN), processamento cerâmico por tape casting de AIN, sinterização de substratos cerâmicos de AIN e processo de Ligação Direta de Cobre (Direct Bonding Copper, DBC) sobre substratos de AIN. Depois de aprovado o projeto, passará então a parte de compra de materiais de consumo e equipamentos para a realização da Fase 1 do programa. A partir disso, iniciará estudos com pós comerciais para otimização de uma composição de aditivos de sinterização que promova a densificação abaixo de 1700°C e a obtenção de substratos com alta condutividade térmica (> 100 W/mK). Após o estabelecimento desta rota de sinterização, serão produzidos substratos cerâmicos que serão submetidos ao processo de DBC. Em paralelo, serão realizados estudos de síntese de pós de AIN pré-aditivados, visando à obtenção de pós com alta sinterabilidade em temperaturas abaixo de 1700°C. Estes pós sintetizados serão usados para fabricação de substratos cerâmicos com condutividade térmica superior a 100 W/mK, que também serão submetidos ao processo de DBC. Será também desenvolvida uma mistura eutética a base de cobre e cálcio para favorecer a adesão das folhas de cobre ao substrato cerâmico, visando à redução de temperatura do tratamento térmico do processo DBC. Os substratos de AIN com DBC serão ensaiados para verificação da resistência à adesão das folhas de cobre ao substrato de AIN, sendo estes resultados comparados com substratos cerâmicos de alumina com DBC. Após a otimização de um substrato de AIN com alta condutividade térmica e com DBC, este será usado na fabricação de um protópico de módulo semicondutor de alta potência. Estes resultados indicaram a viabilidade de fabricação de dispositivo eletrônico de alto desempenho no País. (AU)