Novos sistemas nano-ópticos e dispositivos nano-eletrônicos: caracterização e aplicação

• Processo: 11/17944-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2012
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2014
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Victor Lopez Richard
• Beneficiário: Daniel Ferreira Cesar
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 12/21264-3 - Estudo teórico de defeitos magnéticos em CdSe: do cristal volumétrico aos pontos quânticos, BE.EP.PD
• Assunto(s): Propriedades eletrônicas Propriedades magneto-ópticas Pontos quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: anéis quânticos | nano estruturas | pontos quânticos | Propriedades Eletrônicas | Propriedades Magneto-ópticas | nano estruturas

Resumo

O presente projeto propõe uma seqüência de tarefas relacionadas à investigação sistemática da resposta óptica e propriedades eletrônicas de pontos quânticos semicondutores de diferentes geometrias e composições que oferecem interessantes possibilidades para a manipulação da estrutura eletrônica e para o estudo de novos fenômenos quânticos. Esta contribuição forma parte de uma colaboração entre grupos experimentais, de crescimento e de espectroscopia, e colaboradores teóricos onde são tratados problemas relacionados à manipulação de estados de spin em sistemas quase-zero dimensionais com simetria cilíndrica e anelar (anéis quânticos). Tal projeto viria a contribuir com o respaldo à nucleação destas linhas de pesquisa. Os empenhos teóricos e experimentais abrangem o estudo de pontos quânticos semi-magnéticos (crescidos na base de CdMnSe) e não magnéticos (crescidos na base de GaInAs), com novas propriedades estruturais com as quais é possível controlar separadamente efeitos da banda de condução e valência. Assim, duas linhas básicas de trabalhos serão aqui contempladas: i) A medição simultânea e a caracterização de fenômenos ópticos spin-dependentes nestas amostras; ii) A simulação teórica dos efeitos ópticos e de transporte associados ao spin dos portadores nestes sistemas com estados confinados. A elucidação de efeitos magnéticos anômalos detectados experimentalmente sob certas condições de crescimento e tratamento têrmico das amostras pautará os empenhos teóricos aqui descritos.

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

LOPES-OLIVEIRA, V.; HERVAL, L. K. S.; ORSI GORDO, V.; CESAR, D. F.; DE GODOY, M. P. F.; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, M.; KHATAB, A.; SADEGHI, M.; WANG, S.; et al. Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 23, DEC 21 2014. (13/17657-2, 12/24055-6, 11/17944-6, 12/02655-1)

ARAGON, F. H.; COAQUIRA, J. A. H.; VILLEGAS-LELOVSKY, L.; DA SILVA, S. W.; CESAR, D. F.; NAGAMINE, L. C. C. M.; COHEN, R.; MENENDEZ-PROUPIN, E.; MORAIS, P. C.. Evolution of the doping regimes in the Al-doped SnO2 nanoparticles prepared by a polymer precursor method. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 9, MAR 11 2015. (11/50556-0, 11/17944-6)