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Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores

Processo: 12/24055-6
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2013
Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Pesquisadores associados:Helder Vinícius Avanço Galeti ; Marcio Peron Franco de Godoy ; Maria José Santos Pompeu Brasil
Assunto(s):Spintrônica  Materiais nanoestruturados  Heteroestruturas  Semicondutores  Propriedades ópticas  Propriedades de transporte  Tunelamento quântico  Polarização de spin 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:efeito tunel ressonante | heteroestruturas semicondutoras | propriedades de transporte | Propriedades Óticas | Spintrônica | Física de Semicondutores

Resumo

Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs, GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita (efeito Rashba e Dresselhaus), a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs, GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos. A maior parte dos experimentos necessários para o desenvolvimento deste projeto serão realizados no novo laboratório de magneto-ótica e magnéto-transporte recentemente montado no Departamento de Física da UFSCAR com apoio do Projeto Temático Fapesp Proc: 2006/05765-1. Este laboratório já está em pleno funcionamento e tem sido usado no desenvolvimento de diversos projetos de pesquisa de nossos alunos de pós-graduação. Para medidas magneto-óticas resolvidas no tempo e em polarização na presença de campo magnético contamos com as colaborações da Profa Maria José S. P. Brasil do IFGW- UNICAMP e da colaboração do Prof Dr. Robert Kudrawieck (Wroclaw Univ. Technol., Poland). (AU)

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Publicações científicas (19)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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LOPES-OLIVEIRA, V.; HERVAL, L. K. S.; ORSI GORDO, V.; CESAR, D. F.; DE GODOY, M. P. F.; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, M.; KHATAB, A.; SADEGHI, M.; WANG, S.; et al. Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 23, . (13/17657-2, 12/24055-6, 11/17944-6, 12/02655-1)
CARVALHO, A. R. H.; GORDO, V. ORSI; GALETI, H. V. A.; GOBATO, Y. GALVAO; DE GODOY, M. P. F.; KUDRAWIEC, R.; LEMINE, O. M.; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 7, . (12/24055-6)
LEMINE, O. M.; ALKAOUD, A.; AVANCO GALETI, H. V.; GORDO, V. ORSI; GOBATO, Y. GALVAO; BOUZID, HOUCINE; HAJRY, A.; HENINI, M.. Thermal annealing effects on the optical and structural properties of (100) GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, v. 65, p. 48-55, . (12/24055-6)
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BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; et al. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35, . (12/24055-6, 16/07239-7, 14/50513-7)
AL SAQRI, NOOR ALHUDA; MONDAL, ANIRUDDHA; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; GOBATO, YARA GALVAO; GORDO, VANESSA ORSI; ALBALAWI, HIND; JAMEEL, DLER; ALGHAMDI, HAIFA; AL MASHARY, FAISAL; TAYLOR, DAVID; et al. Investigation of defects in indium doped TiO2 thin films using electrical and optical techniques. Journal of Alloys and Compounds, v. 698, p. 883-891, . (12/24055-6, 16/10668-7)
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