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33rd International Conference on the Physics of Semiconductors

Processo: 16/07239-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 25 de julho de 2016
Data de Término da vigência: 05 de agosto de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Propriedades ópticas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Optical properties | optoelectronics | solar cells | semicondutores
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
ORSI GORDO, V.; GALVO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Spin Polarization of Carriers in InGaAs Self-Assembled Quantum Rings Inserted in GaAs-AlGaAs Resonant Tunneling Devices. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 46, n. 7, p. 3851-3856, . (16/07239-7, 12/24055-6)
BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; et al. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35, . (12/24055-6, 16/07239-7, 14/50513-7)