Síntese e caracterização de nanofios semicondutores de silício

• Processo: 12/07041-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2012
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2013
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Leonardo Martins Amaral
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Dispositivos eletrônicos Nanofios Semicondutores Propriedades estruturais Difração por raios X Microscopia eletrônica de varredura Microscopia eletrônica de transmissão
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: nanofios semicondutores | silício | transporte eletrônico | Transporte eletrônico

Resumo

Nesta proposta propomos a síntese e o estudo das propriedades estruturais de nanofios de silício semicondutor. Para tanto, o candidato deve ser familiarizado com algumas técnicas básicas de crescimento de nanoestruturas semicondutoras tais como o método VLS (Vapor-Líquido-Sólido) bem como os aparatos experimentais necessários à sua implementação. Além disso, o candidato deverá conhecer técnicas de caracterização estrutural bastante conhecidas e largamente empregadas como a difração de raios-x (DRX), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e também a microscopia eletrônica de transmissão (MET) e desenvolver estudos que visem a obtenção de informações sobre estrutura cristalina, morfologia, fase e composição das nanoestruturas sintetizadas. Tais estudos deverão viabilizar a obtenção de uma rota de síntese bem determinada e também, de nanoestruturas de alta qualidade cristalina. Numa segunda etapa, o candidato deverá também familiarizar-se com técnicas de fabricação de dispositivos eletrônicos baseados em nanoestruturas, em especial a técnica de fotolitografia.(AU)