| Processo: | 12/14617-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de outubro de 2012 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 2014 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Lara Kühl Teles |
| Beneficiário: | Mauro Fernando Soares Ribeiro Junior |
| Instituição Sede: | Divisão de Ciências Fundamentais (IEF). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Fios quânticos Nanotecnologia Confinamento quântico Métodos ab initio Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Ab initio | bandgap | estados excitados | fios quânticos | interfaces semicondutoras | Nanotecnologia | Teórica |
Resumo O método teórico para o cálculo de excitações em sólidos chamado de LDA(ou GGA)-1/2, foi desenvolvido pelo Prof. Luiz Guimarães Ferreira da Universidade de São Paulo em colaboração com o Grupo de Materiais Semicondutores e Nanoestruturas-GMSN do ITA. O método LDA(GGA)-1/2 tem alcançado sucessos progressivos na descrição de sistemas semicondutores bulk, interfaces, materiais magnéticos, ligas de interfaces semicondutoras e ligas magnéticas semicondutoras. As grandes vantagens do método são: simplicidade de implementação, baixo custo computacional (tempo e memória), precisão no calculo de band gaps compatível na maioria dos casos com o método considerado hoje em dia o "estado da arte", que é o método GW, sendo livre de parâmetros. Particularmente, a tese de doutorado do candidato à bolsa de pós-doutoramento Mauro Ribeiro, orientada pelo Prof. Luiz G. Ferreira, foi integralmente desenvolvida com este método. Existem, no entanto, alguns desafios imediatos ao método LDA-1/2, como a obtenção da energia total e o estudo de sistemas com forte confinamento, como sistemas 2D (e.g. filmes super finos de poucas camadas atômicas), e sistemas 1D como fios quânticos. Neste projeto, nosso objetivo principal é o segundo desafio levantado, o estudo sistemas de baixa dimensionalidade, dando continuidade à validação do método para o cálculo correto de estados excitados nos mais variados sistemas em matéria condensada. Em particular, o sistema 2D de interesse que estudaremos consiste de uma heteroestrutura de (GaN)n/(InN)1/(GaN)n, ou seja, com apenas uma monocamada de InN. Este sistemas têm o potencial de produzir células solares altamente eficientes. Os sistemas 1D serão nanofios semicondutores, e.g. ZnO e Si. Após os sucessos obtidos com o método para semicondutores bulk, acreditamos que este seja um excelente momento para avançarmos no desenvolvimento do método para cálculo de nanoestruturas semicondutoras. (AU) | |
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