Crescimento epitaxial e caracterização de filmes finos: óxidos condutores e ferroelétricos preparados por deposição de solução química

• Processo: 13/26488-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2014
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2016
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Fenelon Martinho Lima Pontes
• Beneficiário: Regina Aparecida Capeli da Silva
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Química de materiais
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Conducting oxides | Epitaxial | ferroelectric | Thin Films | Química dos Materiais

Resumo

No atual estágio de desenvolvimento tecnológico é desejável a obtenção de dispositivos de dimensões (miniaturização) cada vez menores e que possam desempenhar com eficiência a função para as quais foram destinados. Portanto, aplicar os ferroelétricos na forma de filmes finos passou a ser um desafio e uma solução aos anseios tecnológicos de tal forma que as propriedades a serem exploradas devem também ser compreendidas nesta configuração. Filmes finos epitaxiais têm atraído a atenção da comunidade de pesquisa em todo o mundo por um longo período de tempo, pois suas propriedades são muitas vezes superiores as de filmes finos policristalinos. Neste projeto a utilização de soluções de citratos polimerizados com alto grau de homogeneidade química de compostos de estrutura Perovskite dos sistemas Pb0.76Ca0.24TiO3(PCT24) e LaNiO3(LNO) serão aplicadas para preparar filmes finos texturizados/epitaxiais. Será feito o crescimento de filmes finos PCT24 sobre LNO depositados sobre substratos monocristalinos tais como LaAlO3(100), LaAlO3(001) e LaAlO3(111) para verificação da texturização e sua orientação preferencial. A dependência das propriedades dielétricas/ferroelétricas e das propriedades de transporte eletrônico com relação a texturização serão avaliadas para a formação dos dispositivos eletrônicos para os filmes finos PCT24 e LNO, respectivamente. Também será realizado o estudo comparativo das propriedades elétricas dos filmes finos com eletrodo de base de LNO e de platina. Portanto, os efeitos da disposição e orientação dos domínios ferroelétricos bem como da texturização, nas propriedades elétricas de filmes ferroelétricos serão avaliados e correlacionados com as características cristalográficas, microestruturais e estequiométricas (composição química) dos materiais.

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SILVA, Regina Aparecida Capeli da. Crescimento epitaxial e caracterização de filmes finos: óxidos condutores e ferroelétricos preparados por deposição de solução química. 2016. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual Paulista (Unesp). Faculdade de Ciências. Bauru Bauru.