Efeitos de corpo flutuante e de acoplamento em transistores FDSOI MOSFETs de camada de silício e óxido enterrado ultra-finos

• Processo: 14/13664-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Data de Início da vigência: 19 de novembro de 2014
• Data de Término da vigência: 16 de julho de 2015
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Katia Regina Akemi Sasaki
• Supervisor: Sorin Cristoloveanu
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Micro and Nanotechnology Innovation Campus (MINATEC), França
• Vinculado à bolsa: 13/13690-5 - Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos em altas temperaturas, BP.DR
• Assunto(s): Microeletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Acoplamento | Caracterização Elétrica | efeito de corpo flutuante | Mosfet | Soi | Utbb | Microeletrônica

Resumo

Na tentativa de se superar os limites atuais para o escalamento dos dispositivos, a tecnologia UTBB SOI MOSFET (Ultra-Thin-Body-and-Buried-oxide Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) combinado à técnica da variação dinâmica da tensão de limiar surge como uma possível solução para diminuir os efeitos de canal curto e ainda melhorar o desempenho desses transistores. Isso se deve ao melhor acoplamento da tensão do substrato associado à vantagem de se obter uma maior corrente em estado ligado e uma menor corrente em estado desligado.Estes dispositivos também têm sido estudados em sua aplicação como memória, onde o corpo flutuante é um dos mecanismos mais importantes para o seu funcionamento.Assim, este trabalho, supervisionado pelo Prof. Dr. Sorin Cristoloveanu, visa estudar a influência dos efeitos de corpo flutuante e do acoplamento em transistores UTBB SOI MOSFET avançados fornecidos pelo MINATEC/França.Serão estudados os principais parâmetros elétricos (digitais e analógicos), obtidos por meio de medidas com algumas simulações numéricas, a fim de entender melhor a influência do corpo flutuante e do acoplamento em dispositivos UTBB SOI MOSFET avançados. (AU)