Efeitos da radiação em transistores Túnel-FETs de porta tripla

• Processo: 15/24817-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2016
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2018
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Henrique Lanza Faria Torres
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiação (energia radiante) Nanoeletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica | radiação | Túnel-FETs | Nanoeletrônica

Resumo

Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa, as indústrias têm substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm, mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Dentre as alternativas mais promissoras estudadas pela comunidade científica para substituir a tecnologia MOS, pode-se citar o transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET - Tunneling Field Effect Transistor), que é um dispositivo compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (IOFF) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec à temperatura ambiente), características que conferem a este novo dispositivo um grande potencial de velocidade de chaveamento.Esse trabalho visa estudar o comportamento dos transistores Túnel-FET quando submetidos à radiação através de uma análise comparativa entre o desempenho destes transistores antes e após a radiação. Este estudo se dará tanto através de medidas experimentais e com o auxílio de simuladores numéricos de dispositivos (Atlas e/ou Sentaurus) para diferentes temperaturas de operação. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla.. 2018. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.