Estudo das propriedades do isolante topológico Bi2Te3 crescido por epitaxia de feixe molecular

• Processo: 16/22366-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2017
• Data de Término da vigência: 20 de fevereiro de 2018
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
• Pesquisador responsável: Eduardo Abramof
• Beneficiário: Celso Israel Fornari
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 15/16191-5 - Pesquisas em novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e baixas temperaturas, AP.TEM
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Isolantes topológicos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capa Protetora | Dopagem com Európio | Epitaxia por feixe molecular | Isolantes Topológicos | Junções p-n | Telureto de Bismuto | Epitaxia por Feixe Molecular, Isolantes topológicos

Resumo

Os isolantes topológicos são foco de grande atenção da comunidade cientifica devido às suas características únicas de superfície. Estes materiais se comportam como isolantes convencionais no volume e apresentam uma superfície metálica com propriedades únicas, que vem sendo investigada tanto para aplicações tecnológicas, como a computação quântica e spintrônica, quanto para pesquisas cientificas básicas, como a busca pelo férmion de Majorana. Entretanto, estas propriedades topológicas são extremamente sensíveis à contaminação na superfície que pode alterar a estrutura cristalina levando à degradação da ordem topológica. Portanto, é de extrema importância proteger estes estados topológicos da contaminação, para que seja possível utilizar suas propriedades superficiais em condições ambientes. O presente projeto visa investigar uma camada protetora para o composto Bi2Te3, com objetivo de proteger estas superfícies contra contaminação, preservando a ordem topológica no composto, além de estudar este sistema topológico através da dopagem com terras raras e através da confecção de junções p-n. Com estas novas estruturas espera-se suprimir portadores livres do volume, permitindo medidas diretas através dos canais de superfície. Este projeto de pós-doutorado está inserido no âmbito do projeto temático FAPESP N° 15/16191-5 e terá colaboração com o grupo de Física Experimental VII da Universidade de Würzburg na Alemanha. (AU)

Publicações científicas

(9)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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IVONE REGINA DE OLIVEIRA; GABRIELA DO VALE VIEIRA; KENNEDY WALLACE DOS SANTOS; LEANDRO JOSÉ RANIERO; LARISSA MOREIRA CASTRO-RAUCCI; PAULO TAMBASCO DE OLIVEIRA; CELSO ISRAEL FORNARI; VICTOR CARLOS PANDOLFELLI. Improving the Radiopacity of Calcium Aluminate Cement Based Blends. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 21, n. 2, 2018-01-22. (16/22366-5, 16/15032-3)

FORNARI, I, C.; RAPPL, P. H. O.; MORELHAO, S. L.; FORNARI, G.; TRAVELHO, J. S.; DE CASTRO, S.; PIRRALHO, M. J. P.; PENA, F. S.; PERES, M. L.; ABRAMOF, E.. Structural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films. MATERIALS RESEARCH EXPRESS, v. 5, n. 11, NOV 2018. (16/22366-5)

FORNARI, I, CELSO; BENTMANN, HENDRIK; MORELHAO, SERGIO L.; PEIXOTO, THIAGO R. F.; RAPPL, PAULO H. O.; TCAKAEV, ABDUL-VAKHAB; ZABOLOTNYY, VOLODYMYR; KAMP, MARTIN; LEE, TIEN-LIN; MIN, CHUL-HEE; et al. Incorporation of Europium in Bi2Te3 Topological Insulator Epitaxial Films. Journal of Physical Chemistry C, v. 124, n. 29, p. 16048-16057, JUL 23 2020. (16/22366-5, 19/01946-1)

TCAKAEV, A.; ZABOLOTNYY, V. B.; FORNARI, C., I; RUESSMANN, P.; PEIXOTO, T. R. F.; STIER, F.; DETTBARN, M.; KAGERER, P.; WESCHKE, E.; SCHIERLE, E.; et al. Incipient antiferromagnetism in the Eu-doped topological insulator Bi2Te3. PHYSICAL REVIEW B, v. 102, n. 18, p. 13-pg., 2020-11-02. (16/22366-5)

FORNARI, CELSO I.; ABRAMOF, EDUARDO; RAPPL, PAULO H. O.; KYCIA, STEFAN W.; MORELHAO, SERGIO L.. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. MRS ADVANCES, v. 5, n. 35-36, p. 7-pg., 2020-01-01. (18/00303-7, 16/22366-5)