Projetos de dispositivos semicondutores nanométricos

• Processo: 16/24949-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2017
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Maria Glória Caño de Andrade
• Beneficiário: Luis Felipe de Oliveira Bergamim
• Instituição Sede: Instituto de Ciência e Tecnologia. Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Sorocaba. Sorocaba , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Semicondutores Simulação numérica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: FinFET | Simulation | Soi | Utbox | microeletronica

Resumo

O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da Micro e Nano eletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Trata-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas. Estruturas não planares, denominada de transistores Bulk, DTMOS e SOI de múltiplas portas (também chamados FinFET ou Transistor 3D), e estruturas planares com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados. O objetivo principal deste trabalho é realizar um estudo através de simulações numéricas em transistores manométricos com diferentes engenharias de canal e dielétrico de porta. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá de três partes principais. Primeiramente as estrutura serão construídas em ambiente virtual para que seja possível a realização das simulações numéricas. Nesta fase do projeto, as simulações terão o objetivo de obter as tendências das principais características elétricas dos dispositivos. Na segunda parte será realizada a calibração/validação das simulações a partir das caracterizações elétricas realizadas no Centro Interuniversitário de microeletrônica (Imec - Interuniversity microelectronics center) da Universidade Católica de Leuven na Bélgica. Finalmente, com o simulador calibrado, será realizado diversas simulações com o intuito de compreender/encontrar mecanismos físicos envolvidos nestes tipos de dispositivos. (AU)