Dopagem em nanofios de SnO2: produção e caracterização de nanofios de ato (Sb:SnO2)

• Processo: 17/00059-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2017
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2018
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Mark Hoffmann Wallner
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Nanofitas Nanofios Dióxido de estanho Transporte eletrônico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanofios | Propriedades de transporte eletrônico | SnO2 | Semicondutores

Resumo

Esta proposta tem como finalidade a produção e caracterização de dispositivos eletrônicos baseados em nanofios/nanofitas construídos a partir do SnO2 dopado com antimônio. Pretende-se sintetizar nanofitas intrínsecas e dopadas com antimônio, um material particularmente interessante na construção de óxidos transparentes condutores. Através da construção de dispositivos com estes materiais pode-se realizar investigações sobre a influência da dopagem nos mecanismos de transporte. Com nanoestruturas não dopadas e dopadas problemas como o da localização e transporte de cargas serão abordados, através da investigação dos diversos processos de espalhamento em nanoestruturas, mas particularmente, dos processos de localização de portadores (devido à desordem) que determinam o comportamento dos dispositivos. Neste trabalho, as atividades propostas ao candidato visam tanto o aprendizado de técnicas básicas para a produção das amostras, construção de dispositivos e estudo de suas propriedades, como a análise e interpretação das propriedades eletrônicas apresentadas pelos dispositivos. (AU)