Avaliação da influência de alterações nos parâmetros físicos de OTFTs e de processos de deposição de filmes finos nos parâmetros elétricos do dispositivo

• Processo: 18/16115-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2018
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Acordo de Cooperação: SABESP
• Pesquisador responsável: Fernando Josepetti Fonseca
• Beneficiário: Vinicius Augusto Machado Nogueira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Empresa: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP)
• Vinculado ao auxílio: 13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
• Assunto(s): Nanotecnologia Eletrônica orgânica Filmes finos Transistores Nariz eletrônico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: geosmina | Nanotecnologia | Otft | 2 metil-isoborneol | Eletrônica Orgânica

Resumo

Transistores de filmes finos orgânicos (OTFTs) são dispositivos compostos por três eletrodos, semelhante aos dispositivos MOS, com dreno (D), fonte (S) e porta (G). As duas principais tensões de polarização são aplicadas ao dreno e à porta (VDS e VGS, respectivamente) em relação ao eletrodo de referência, a fonte, responsáveis por gerar as curvas características de IDSxVDS para um conjunto de valores de VGS e transcaracterísticas de IDSx VGS para um conjunto de valores de VDS. O eletrodo de porta é separado do canal de condução um por dielétrico, sendo que a espessura e a presença de defeitos nesta camada é fundamental para determinar a corrente espúria de fuga pela porta, as tensões de operação e, até mesmo, a mobilidade de portadores de carga. A mobilidade é função de parâmetros físicos, tais como o comprimento e largura de canal, além de parâmetros de processamento, como temperatura de secagem da camada ativa semicondutora após a deposispin coating. Neste contexto, propõe-se um estudo de avaliação da influência de parâmetros físicos e de processamento do OTFT em seus parâmetros elétricos. A partir do conhecimento adquirido neste projeto, buscar-se-ão transistores de desempenho otimizado para confecção de nariz eletrônico cuja sensibilidade a MIB e GEO atinja 100 de partes por bilhão (ppb).