Efeito de Dose Total Ionizante em transistores de Potência PMOS

• Processo: 22/09131-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2022
• Data de Término da vigência: 09 de junho de 2024
• Área de conhecimento: Interdisciplinar
• Pesquisador responsável: Marcilei Aparecida Guazzelli
• Beneficiário: Paulo Roberto Garcia Junior
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiação ionizante
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: características elétricas | Radiação ionizante | Total Ionizing Dose | Transistores de Potência | Efeitos da Radiação Ionizante em Dispositivos

Resumo

Dispositivos eletrônicos expostos à radiação ionizante podem sofrer danos que podem alterar as propriedades que caracterizam o dispositivo, modificando os parâmetros elétricos e, no caso de memórias ou processadores, podendo modificar as informações contidas nesses dispositivos. Diante deste problema, o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos resistentes à radiação e a sua qualificação quanto a serem mais tolerantes aos efeitos da radiação ionizante requerem pessoal qualificado, com o conhecimento específico dos mecanismos físicos atuantes nos dispositivos quando expostos à radiação. Para estudar o comportamento de dispositivos nessas condições, é necessário saber caracterizá-lo adequadamente, de acordo com os danos causados por uma determinada dose de radiação, e pelo tipo de radiação ionizante. Vale ressaltar que este tema é de extrema importância para que esta área estratégica de pesquisa seja autossuficiente em nosso país e também que o Centro Universitário FEI participa do mais importante projeto nacional, financiado pela FINEP - CITAR: Circuitos Integrados Tolerantes a Radiação - o qual visa consolidar este conhecimento no Brasil. Este projeto de pesquisa visa estudar efeitos da radiação ionizante proveniente de raios X em dispositivos eletrônicos, especificamente transistores de potência PMOS (metal - óxido - semicondutor do tipo P). Os transistores que serão caracterizados compõem o CI PPTLEXT06SOID4, projetado pelos pesquisadores do Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (Campinas). Os transistores serão expostos a diferentes taxas de dose de radiação de raios X de 10 keV, com a finalidade de estudar como a radiação atua nas características de um dispositivo de potência. Desta forma, será possível correlacionar os mecanismos físicos responsáveis pelos efeitos da radiação nos dispositivos com as alterações nos parâmetros característicos, e verificar a tolerância deste dispositivo ao ser submetido em ambiente severo, como em sistemas embarcados na área espacial.

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

GRANDESI, GUILHERME INACIO; GARCIA, PAULO R., JR.; BOAS, ALEXIS, V; GIACOMINI, RENATO; SEIXAS, L. E.; GUAZZELLI, MARCILEI A.. Impact of Ionizing Radiation and Temperature on the Performance of pMOSFETs with Different Layouts. 2024 38TH SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES, SBMICRO 2024, v. N/A, p. 4-pg., 2024-01-01. (22/09131-0, 18/25225-9, 20/04867-2)

VILAS BOAS, ALEXIS CRISTIANO; ALBERTON, SAULO GABRIEL; GARCIA, PAULO ROBERTO; MEDINA, NILBERTO H.; AGUIAR, VITOR ANGELO P.; MELO, MARCO ANTONIO A.; SANTOS, ROBERTO BAGINSKI B.; GIACOMINI, RENATO C.; CAVALCANTE, TASSIO, V; SEIXAS JR, LUIS EDUARDO; et al. Neutron-induced effects on a commercial GaN High Electron Mobility Transistor. 2024 38TH SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES, SBMICRO 2024, v. N/A, p. 4-pg., 2024-01-01. (22/09131-0, 23/16053-8, 20/04867-2, 18/25225-9)