Estudo e caracterização elétrica de transistores SOI MOSFETs de porta tripla (SOI FinFETS).

• Processo: 22/09917-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2022
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2024
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Pedro Henrique Madeira
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia. Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
• Assunto(s): Tecnologia SOI
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica Experimental | MOSFETs | Tecnologia SOI | transistores de múltiplas portas | Micro/Nanoeletrônica, dispositivos semicondutores

Resumo

Com o avanço da tecnologia de fabricação de circuitos integrados, o escalamento dos dispositivos torna o controle das cargas na região de canal do transistor MOS convencional cada vez mais difícil e complexo. O transistor SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFETs de múltiplas portas, também conhecido por transistor FinFET, aparecem como uma alternativa aos transistores planares devido ao melhor acoplamento eletrostático entre porta e canal, ocasionando um melhor controle das cargas do canal e consequentemente maior imunidade aos efeitos de canal curto. Uma das aplicações importantes dos circuitos integrados avançados é seu uso em processadores e circuitos de alto desempenho. No entanto, o estudo do potencial analógico desta tecnologia também precisa ser considerado.Neste projeto de iniciação científica será realizado o estudo teórico e experimental dos transistores FinFETs com diferentes larguras de aletas, investigando o acoplamento eletrostático entre as portas e o canal. O desempenho dos transistores FinFETs de porta tripla será avaliado a partir dos principais parâmetros DC analógicos e digitais, como a tensão de limiar, a inclinação de sublimiar, a transcondutância, condutância de saída, eficiência do transistor, tensão Early e Ganho intrínseco de tensão. O estudo de uma tecnologia não abordada na graduação, assim como as medidas elétricas de precisão juntamente com o estudo desta ampla gama de parâmetros dá ao aluno um conhecimento que vai muito além do apresentado a ele na graduação. Vale ressaltar ainda que este estudo é viável pois além de a orientadora possuir bastante experiência no tema, o aluno que irá desenvolvê-lo demonstrou ter grande potencial para pesquisa além de ter ótimo desempenho escolar. A orientadora tem como base o conhecimento adquirido durante a fabricação do primeiro transistor 3D no Brasil (FAPESP-Temático 2008/05792-4) e também com a parceria com o Imec, na Bélgica, onde foram fabricados os transistores que serão avaliados neste projeto.