Estudo do comportamento elétrico de transistores da tecnologia SOI CMOS de 130 nm para aplicação em circuitos analógicos

• Processo: 24/16222-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2025
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2026
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Leonardo de Moraes Alvarenga
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia. Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
• Assunto(s): Técnicas de caracterização elétrica Circuitos analógicos Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica | Circuitos Analógicos | Dispositivos Semicondutores | Transistores Avançados | Micro/Nanoeletrônica

Resumo

Com a contínua redução dos dispositivos, o controle dos efeitos de canal curto em transistores MOSFETs convencionais se tornou um problema para a evolução tecnológica. Os transistores MOS fabricados em tecnologia SOI passaram a ser utilizados devido às excelentes melhorias no desempenho desses dispositivos, maior imunidade aos efeitos de canal curto e maior velocidade de chaveamento.Neste projeto pretende-se estudar o comportamento elétrico dos transistores SOI MOSFETs totalmente e parcialmente depletados e aplicá-los em blocos analógicos recorrentes no projeto de circuitos integrados. Esta iniciação científica será baseada na caracterização elétricas DC dos transistores onde serão avaliados tanto parâmetros básicos quanto analógicos dos transistores. Estas análises serão realizadas através de medidas experimentais destes transistores e serão de fundamental importância para calibração do simulador SPICE onde serão implementados os circuitos de amplificadores. A calibração bem precisa desempenhará um papel fundamental para que a análise de como esta tecnologia nanométrica se comportará quando aplicada em circuitos analógicos. Uma comparação entre os amplificadores projetados com transistores parcialmente depletados e totalmente depletados será feita dando um passo bastante adiante do que é visto no curso de graduação em engenharia elétrica.