Estrutura eletrônica e configuracional de ligas silício-germânio

• Processo: 00/11062-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2001
• Data de Término da vigência: 13 de junho de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Pedro Paulo de Mello Venezuela
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Estrutura eletrônica Impureza magnética Semicondutores Simulação por computador Métodos ab initio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculos Ab Initio | Defeitos | Impurezas | Ligas | Semicondutores | Simulacao Computacional

Resumo

Faremos um estudo sistemático a respeito de ligas semicondutoras de Silício-Germânio. Para isto iremos utilizar métodos de primeiros princípios baseados em Pseudopotenciais e na Teoria do Funcional Densidade e métodos empíricos baseados no método de Monte Cario. Estudaremos a liga tensionada e sem tensão variando a composição dos elementos e a interface da liga tensionada com o cristal de Silício puro. Temos interesse também no estudo desta liga em seu estado amorfo e neste caso iremos utilizar a técnica do resfriamento simulado para a obtenção da estrutura configuracional. Além disso, também vamos estudar as propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos nesta liga. Alguns defeitos de interesse são a vacância, o Si e o Ge intersticiais, átomos dopantes, e também os principais contaminantes encontrados nesta liga, como o carbono e o oxigênio, por exemplo. O estudo de defeitos será feito variando-se a composição e para os casos das ligas cristalinas tensionada e sem tensão e da liga amorfa. Além dos defeitos pontuais até aqui mencionados iremos estudar também defeitos extensos como, por exemplo, falhas de empilhamento. (AU)