Preparação e caracterização óptica de filmes de a-GaAs(:h) preparados por RF magnetron sputtering

• Processo: 03/08701-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2003
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: André Luis de Jesus Pereira
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Óptica Semicondutores amorfos Filmes finos Pulverização catódica Fotoluminescência Propriedades eletrônicas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Optica | Filmes Finos | Fotoluminescencia | Gaas Amorfo | Rf Sputtering | Semicondutores

Resumo

O interesse sobre filmes de GaAs amorfo aumentou recentemente devido a suas aplicações como camadas anti-guia em lasers de cavidade vertical, e como camadas de "buffer" em hetero-epitaxias de GaAs sobre Si. O material também é interessante do ponto de vista científico por permitir o estudo da influência da desordem sobre as propriedades eletrônicas dos semicondutores amorfos. Nesta proposta estamos interessados em preparar e caracterizar opticamente filmes de GaAs amorfo hidrogenados e não hidrogenados. Alguns testes também serão realizados com filmes de GaN amorfo. Os filmes serão preparados em um sistema de RF magnetron sputtering recém construído em nosso laboratório. A partir de medidas de transmitância e refletância ópticas, calcularemos as constantes ópticas dos filmes depositados em função dos parâmetros de deposição. A partir das constantes ópticas índice de refração e coeficiente de absorção calcularemos o valor da energia de Urbach (Eo), parâmetro que representa o grau de desordem no material. Realizaremos também medidas de fotoluminescência, para verificar a existência de bandas de emissão dos filmes depositados, incluindo aqueles preparados a baixas taxas de deposição e altas temperaturas de substrato (~200°C), os quais provavelmente terão estrutura poli-cristalina. A partir do estudo das características ópticas dos filmes depositados será possível uma otimização das propriedades eletrônicas dos filmes depositados. (AU)