Propriedades ótica, estrutural e magnética de sistemas integrados de semicondutores: InP/GaAs: Mn (implantado) e formação de nanocristais em matrizes de SiO2

• Processo: 04/15527-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2005
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Eliermes Arraes Meneses
• Beneficiário: João Marcelo Jordão Lopes
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 01/01067-4 - Estudo de sistemas de baixa dimensionalidade, AP.TEM
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Baixa Dimensiolidade | Implantacao Ionica | Nanocristais | Polarizacao De Spins | Semicondutores

Resumo

Este projeto consiste no estudo de dois sistemas integrados de semicondutores: InP/GaAs:Mn(implantado) e formação de nanocristais em matrizes de SiO2 (Ge, GeSi, GeSn, por implantação iônica). No primeiro caso, a idéia é estudar a dinâmica de portadores em pontos quânticos de InP/GaAs sob a influencia de impurezas magnéticas de Mn e/ou de nano-clusters magnéticos. O estudo será feita através de micro-magneta ótica, onde o campo magnético será essencial para estudar o comportamento da interação do éxciton com átomos de Mn, como também com as nano-estruturas. Este estudo vai nos permitir o entendimento da dinâmica de spin em sistemas de baixa dimensionalidade em semicondutores intergrados a materiais magnéticos, de interesse em aplicações envolvendo spins polarizados. No segundo caso, será realizado um estudo das propriedades ótica e estruturais de nanocristais formados, através de implantação iniônica, no interior de matrizes sólidas. Os nanocristais serão de Ge puro, GeSi e GeSn formados em matrizes de SiO2, esta sobre um substrato de Si. As propriedades estruturais serão inverstigadas através de raios-X e Microscopia Eletrônica de Transmissão, enquanto as óticas por Espectroscopia Raman, Fotoluminescencia(PL) e Fotoluminescência de Excitação(PLE). O estudo destas nano partículas é de fundamental importância para a tecnologia de nano-dispositivos eletrônicos, óticos e magnéticos. (AU)