Estudo da bistabilidade aparente em heteroestruturas semicondutoras de tunelamento ressonante

• Processo: 02/09074-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Yara Galvão Gobato
• Beneficiário: Erik Arrais Vieira
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/12356-4 - Estudos de propriedades ópticas e elétricas de heteroestruturas semicondutoras, AP.TEM
• Assunto(s): Tunelamento quântico Heteroestruturas Diodos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Tunelamento Ressonante

Resumo

O projeto tem como objetivo realizar o estudo ótico e de transporte de heteroestruturas semicondutoras de tunelamento ressonante. Pretendemos investigar a origem da histerese e bistabilidade na curva característica I(V) de diodos a dupla barreira combinando técnicas óticas e de transporte. Para isso, será construído um circuito eletrônico ativo que permite obter linhas negativas ou equivalentes fontes de tensão com resistências negativas permitindo acesso a região tri-estável. O acúmulo de carga na estrutura será estudado através de medidas de fotoluminescência mediante a análise da formação de excitons carregados negativamente. (AU)