Obtencao de filmes de oxido de silicio para aplicacao como camada sacrificial .

• Processo: 00/10344-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Ana Neilde Rodrigues da Silva
• Beneficiário: Celso Fonseca Alfano
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Óxido de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camada Sacrificial | Microeletronica | Microfabricao | Oxido De Silicio | Pecvd

Resumo

Este trabalho tem por objetivo a obtenção de filmes de óxido de silício para serem aplicados como camada sacrificial em microfabricação de dispositivos. Os filmes serão obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma (PECVD), através da reação de tetraetilortosilicato (TEOS) e oxigênio. (AU)