Preparacao de filmes espessos de materiais ferroeletricos por deposicao eletroforetica.

• Processo: 00/11879-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2001
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: José Arana Varela
• Beneficiário: Sonia Maria Zanetti
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/01991-0 - Síntese e caracterização de filmes finos e cerâmicas ferroelétricos, AP.TEM
• Assunto(s): Materiais ferroelétricos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ferroeletricos | Filmes Espessos

Resumo

Este projeto de pesquisa tem por objetivo o desenvolvimento de filmes espessos de SrBi2Ta2O9 (SBT) e de Pb(Zr1-xTix)O3 (PZT) utilizando a deposição eletroforética. Para tanto, será necessário desenvolver uma série de metodologias de processamento e caracterização. No processamento deverão ser preparados os pós dos óxidos com partículas sub-micrométricas utilizando-se o método dos precursores poliméricos. A dispersão será em suspensão orgânica ou aquosa e a deposição será sobre substratos de silício recoberto com platina. Após a deposição, os filmes serão tratados termicamente de forma a se obter filmes sinterizados nas fases desejadas. Pretende-se utilizar técnicas micro-estruturais, tais como: Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET) para caracterizar a sinterização, além da Difração de Raios X (DRX) para caracterizar a cristalização e a evolução do tamanho de cristalito; tanto para os pós quanto para os filmes. A Microscopia de Força atômica (MFA) será utilizada para avaliar a morfologia superficial dos filmes. Para a caracterização elétrica, serão utilizadas a espectroscopia de impedância (El) e medidas de histerese por polarização (P-E). (AU)